casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BAS581-02V-V-G-08
codice articolo del costruttore | BAS581-02V-V-G-08 |
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Numero di parte futuro | FT-BAS581-02V-V-G-08 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS581-02V-V-G-08 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 370mV @ 1mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500nA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | 2pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-79, SOD-523 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-523 |
Temperatura operativa - Giunzione | 125°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS581-02V-V-G-08 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS581-02V-V-G-08-FT |
VS-40EPS16-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPS16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPF06PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPS08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40EPS12-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU02-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU04-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU06-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-60EPU06HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel