casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAS56 TR
codice articolo del costruttore | BAS56 TR |
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Numero di parte futuro | FT-BAS56 TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAS56 TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 200mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 60V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-143 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAS56 TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAS56 TR-FT |
MBR200200CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR20020CT
GeneSiC Semiconductor
MBR20020CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR20035CT
GeneSiC Semiconductor
MBR20035CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR20040CT
GeneSiC Semiconductor
MBR20040CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR20045CT
GeneSiC Semiconductor
MBR20045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR20060CT
GeneSiC Semiconductor
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel
EP2AGX125EF35C5
Intel
EP4SGX360FF35I3
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel