casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR20045CTR
codice articolo del costruttore | MBR20045CTR |
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Numero di parte futuro | FT-MBR20045CTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MBR20045CTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 650mV @ 100A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5mA @ 20V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Twin Tower |
Pacchetto dispositivo fornitore | Twin Tower |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20045CTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR20045CTR-FT |
DD104N14KKHPSA1
Infineon Technologies
DD104N16KHPSA1
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DD104N16KKHPSA1
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DD160N22KHPSA1
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DD171N12KAHPSA1
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DD171N12KHPSA1
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DD171N12KKHPSA1
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DD171N16KHPSA1
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DD171N18KHPSA1
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DD231N22KHPSA1
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LCMXO1200C-4T144C
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XC6SLX75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
Microsemi Corporation
A54SX72A-1CQ208M
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LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4
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10M40DCF256C7G
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5SGXEB5R2F43I2L
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5SGXEA4H2F35I2N
Intel
EP4SGX230DF29C3NES
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