casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / UMN10NTR
codice articolo del costruttore | UMN10NTR |
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Numero di parte futuro | FT-UMN10NTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UMN10NTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 3 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 70V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMD6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UMN10NTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UMN10NTR-FT |
MBR3090CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3090FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR20100CT-G
Comchip Technology
MBR20150CT-G
Comchip Technology
MBR2030CT-G
Comchip Technology
MBR2040CT-G
Comchip Technology
MBR2050CT-G
Comchip Technology
MBR2060CT-G
Comchip Technology
MBR2080CT-G
Comchip Technology
SBR20A40CT
Diodes Incorporated
XCV150-5FG256I
Xilinx Inc.
XC7A75T-1FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A50T-1CSG325C
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SEEBH40I3L
Intel
5SGXMA5H2F35I2LN
Intel
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C7N
Intel