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codice articolo del costruttore | UMN10NTR |
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Numero di parte futuro | FT-UMN10NTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UMN10NTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 3 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 100mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 4ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 70V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMD6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UMN10NTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UMN10NTR-FT |
MBR3090CTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR3090FCTE3/TU
Microsemi Corporation
MBR20100CT-G
Comchip Technology
MBR20150CT-G
Comchip Technology
MBR2030CT-G
Comchip Technology
MBR2040CT-G
Comchip Technology
MBR2050CT-G
Comchip Technology
MBR2060CT-G
Comchip Technology
MBR2080CT-G
Comchip Technology
SBR20A40CT
Diodes Incorporated
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel