casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RMPG06B-E3/53
codice articolo del costruttore | RMPG06B-E3/53 |
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Numero di parte futuro | FT-RMPG06B-E3/53 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
RMPG06B-E3/53 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 6.6pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | MPG06, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPG06 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RMPG06B-E3/53 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RMPG06B-E3/53-FT |
BYW55-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW56-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYX82TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYX82TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYX83TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYX83TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYX84TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYX84TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYX85TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYX85TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel