casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / RMPG06BHE3_A/53
codice articolo del costruttore | RMPG06BHE3_A/53 |
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Numero di parte futuro | FT-RMPG06BHE3_A/53 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, Superectifier® |
RMPG06BHE3_A/53 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 6.6pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | MPG06, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | MPG06 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
RMPG06BHE3_A/53 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | RMPG06BHE3_A/53-FT |
BYX82TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYX82TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYX83TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYX83TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYX84TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYX84TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYX85TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYX85TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYX86TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
SF1200-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel