casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / BAR8902LRHE6327XTSA1
codice articolo del costruttore | BAR8902LRHE6327XTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BAR8902LRHE6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAR8902LRHE6327XTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | PIN - Single |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 80V |
Corrente - max | 100mA |
Capacità @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipazione di potenza (max) | 250mW |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | SOD-882 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TSLP-2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR8902LRHE6327XTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAR8902LRHE6327XTSA1-FT |
BAP65-05W,115
NXP USA Inc.
BAP50-04W,115
NXP USA Inc.
BAP63-05W,115
NXP USA Inc.
BAT18,215
NXP USA Inc.
BAP64-04,215
NXP USA Inc.
BAP64-06,215
NXP USA Inc.
BAP50-05,215
NXP USA Inc.
BAP64-05,215
NXP USA Inc.
BAP50-04,215
NXP USA Inc.
BAP65-05,215
NXP USA Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-1
Intel
XC6VLX130T-L1FF784I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC7G3F31I3N
Intel
EP2AGX65CU17C6NES
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel
EP4CE40F19A7N
Intel