casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / BAP50-05,215
codice articolo del costruttore | BAP50-05,215 |
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Numero di parte futuro | FT-BAP50-05,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAP50-05,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | PIN - 1 Pair Common Cathode |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 50V |
Corrente - max | 50mA |
Capacità @ Vr, F | 0.5pF @ 5V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
Dissipazione di potenza (max) | 250mW |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB (SOT23) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAP50-05,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAP50-05,215-FT |
CPH5512-TL-E
ON Semiconductor
MMBD301M3T5G
ON Semiconductor
MMBD101LT1G
ON Semiconductor
MMBD301LT3G
ON Semiconductor
MMBD355LT1G
ON Semiconductor
MMBD452LT1G
ON Semiconductor
MMBD354LT1G
ON Semiconductor
MMBD353LT1G
ON Semiconductor
SMMBD701LT1G
ON Semiconductor
NSVMMBD354LT1G
ON Semiconductor
XC4005XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
10AX027H2F34I2LG
Intel
A54SX16A-2TQ100I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C5N
Intel
10AX016E3F27E2LG
Intel
EP1K10QC208-2
Intel