casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - RF / BAP64-06,215
codice articolo del costruttore | BAP64-06,215 |
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Numero di parte futuro | FT-BAP64-06,215 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAP64-06,215 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | PIN - 1 Pair Common Anode |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 175V |
Corrente - max | 100mA |
Capacità @ Vr, F | 0.35pF @ 20V, 1MHz |
Resistenza @ Se, F | 1.35 Ohm @ 100mA, 100MHz |
Dissipazione di potenza (max) | 250mW |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-236AB (SOT23) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAP64-06,215 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAP64-06,215-FT |
MA2SP060GL
Panasonic Electronic Components
CPH5512-TL-E
ON Semiconductor
MMBD301M3T5G
ON Semiconductor
MMBD101LT1G
ON Semiconductor
MMBD301LT3G
ON Semiconductor
MMBD355LT1G
ON Semiconductor
MMBD452LT1G
ON Semiconductor
MMBD354LT1G
ON Semiconductor
MMBD353LT1G
ON Semiconductor
SMMBD701LT1G
ON Semiconductor
M2GL025TS-FCSG325
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZCSG81I
Microsemi Corporation
M2GL010-1FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4S40G2F40I3N
Intel
5SGXEB6R3F43I3L
Intel
A40MX02-1PQ100I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C3
Intel