codice articolo del costruttore | B6S-G |
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Numero di parte futuro | FT-B6S-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
B6S-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 800mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 800mA |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-269AA, 4-BESOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | MBS |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B6S-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | B6S-G-FT |
GBJ802
Diodes Incorporated
GBJ804
Diodes Incorporated
GBJ806
Diodes Incorporated
GBJ810
Diodes Incorporated
DF1502S-T
Diodes Incorporated
DF1501S-T
Diodes Incorporated
DF1508S-T
Diodes Incorporated
DF10S-T
Diodes Incorporated
DF06S-T
Diodes Incorporated
DF1510S-T
Diodes Incorporated
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel