casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DF06S-T
codice articolo del costruttore | DF06S-T |
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Numero di parte futuro | FT-DF06S-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF06S-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DF-S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF06S-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DF06S-T-FT |
GBU410
Diodes Incorporated
GBU602
Diodes Incorporated
GBU806
Diodes Incorporated
GBU4005
Diodes Incorporated
GBU1008
Diodes Incorporated
GBU406
Diodes Incorporated
GBU404
Diodes Incorporated
GBU810
Diodes Incorporated
GBU601
Diodes Incorporated
GBU604
Diodes Incorporated
LCMXO2-7000HE-4TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV400E-7FG676I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation
EP3SE110F1152I4L
Intel
A40MX02-1PLG44I
Microsemi Corporation
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
10AX090N3F40I2LG
Intel
5AGXMB5G4F35I5N
Intel
EP3C25F324A7N
Intel
EP20K200EQC240-1N
Intel