casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / DF1501S-T
codice articolo del costruttore | DF1501S-T |
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Numero di parte futuro | FT-DF1501S-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DF1501S-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1.5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | DF-S |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DF1501S-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DF1501S-T-FT |
GBU608
Diodes Incorporated
GBU802
Diodes Incorporated
GBU1004
Diodes Incorporated
GBU410
Diodes Incorporated
GBU602
Diodes Incorporated
GBU806
Diodes Incorporated
GBU4005
Diodes Incorporated
GBU1008
Diodes Incorporated
GBU406
Diodes Incorporated
GBU404
Diodes Incorporated
XC4010XL-3TQ144I
Xilinx Inc.
XCV200E-8FG456C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA484C
Xilinx Inc.
M1AFS600-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4
Intel
5SGXEA3K3F40C3N
Intel
LFXP3C-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB7G6F35C6N
Intel
EP3SL70F780I3
Intel