casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / B250Q-13-F
codice articolo del costruttore | B250Q-13-F |
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Numero di parte futuro | FT-B250Q-13-F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
B250Q-13-F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 200pF @ 40V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
B250Q-13-F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | B250Q-13-F-FT |
SBR3U60P1-7
Diodes Incorporated
DFLS140-7
Diodes Incorporated
DFLS160-7
Diodes Incorporated
DFLS2100-7
Diodes Incorporated
DFLS1200-7
Diodes Incorporated
DFLS1150-7
Diodes Incorporated
DFLS1100Q-7
Diodes Incorporated
SBR2U30P1-7
Diodes Incorporated
SBR1U200P1-7
Diodes Incorporated
DFLR1200-7
Diodes Incorporated
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel