casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SBR1U200P1-7
codice articolo del costruttore | SBR1U200P1-7 |
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Numero di parte futuro | FT-SBR1U200P1-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SBR® |
SBR1U200P1-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Super Barrier |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 820mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | POWERDI®123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI™ 123 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR1U200P1-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBR1U200P1-7-FT |
1N4148WTQ-7
Diodes Incorporated
SBR1A30T5-7
Diodes Incorporated
ZHCS350TC
Diodes Incorporated
1N4448WSFQ-7
Diodes Incorporated
XBS104S13R-G
Torex Semiconductor Ltd
XBS053V13R-G
Torex Semiconductor Ltd
S1MSWF-7
Diodes Incorporated
1N5819HW1-7-F
Diodes Incorporated
BAV116HWF-7
Diodes Incorporated
SBR2M60S1F-7
Diodes Incorporated
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel