casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SBR2U30P1-7
codice articolo del costruttore | SBR2U30P1-7 |
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Numero di parte futuro | FT-SBR2U30P1-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SBR® |
SBR2U30P1-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Super Barrier |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 400mV @ 2A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 400µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | POWERDI®123 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PowerDI™ 123 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SBR2U30P1-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SBR2U30P1-7-FT |
SDM20U30-7
Diodes Incorporated
1N4148WTQ-7
Diodes Incorporated
SBR1A30T5-7
Diodes Incorporated
ZHCS350TC
Diodes Incorporated
1N4448WSFQ-7
Diodes Incorporated
XBS104S13R-G
Torex Semiconductor Ltd
XBS053V13R-G
Torex Semiconductor Ltd
S1MSWF-7
Diodes Incorporated
1N5819HW1-7-F
Diodes Incorporated
BAV116HWF-7
Diodes Incorporated
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel