casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRFSL6535
codice articolo del costruttore | AUIRFSL6535 |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRFSL6535 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
AUIRFSL6535 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 300V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 185 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2340pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 210W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO262-3-901 |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFSL6535 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRFSL6535-FT |
IPD80R2K8CEBTMA1
Infineon Technologies
IPD90N04S304ATMA1
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IPD90N04S3H4ATMA1
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IPD90N06S404ATMA1
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IPD90N06S404ATMA2
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IPD90N06S405ATMA1
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IPD90N06S4L03ATMA1
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