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Infineon Technologies AUIRFS8403

Name: AUIRFS8403
Brand: Infineon Technologies
SKU: AUIRFS8403
Availability: InStock
Rating: 4.7 (740 reviews)

Numero parte MFG: AUIRFS8403

quantità disponibile: 78370 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0

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Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Infineon Technologies

Breve descrizione: HEXFET® MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: AUIRFS8403.pdf

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AUIRFS8403 specificazioni

codice articolo del costruttore	AUIRFS8403
Numero di parte futuro	FT-AUIRFS8403
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	HEXFET®
AUIRFS8403 Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Discontinued at Future Semiconductor
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	123A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	93nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3183pF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	99W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	D2PAK
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AUIRFS8403 Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	AUIRFS8403-FT

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