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Infineon Technologies IRFS7730PBF
- Numero parte MFG
- IRFS7730PBF
- quantità disponibile
- 96070 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 4.112
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- Data di spedizione
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- fabbricante
- Infineon Technologies
- Breve descrizione
- HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFETs - Single
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- IRFS7730PBF.pdf
IRFS7730PBF specificazioni
| codice articolo del costruttore | IRFS7730PBF |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-IRFS7730PBF |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| IRFS7730PBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 195A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.7V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 407nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 13660pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 375W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRFS7730PBF Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | IRFS7730PBF-FT |
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