casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IXFA270N06T3
codice articolo del costruttore | IXFA270N06T3 |
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Numero di parte futuro | FT-IXFA270N06T3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HiperFET™, TrenchT3™ |
IXFA270N06T3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 270A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 12600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 480W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AA |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFA270N06T3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IXFA270N06T3-FT |
IPB020N10N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB100N04S4H2ATMA1
Infineon Technologies
IPB120N04S402ATMA1
Infineon Technologies
IPB600N25N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB80N08S2L07ATMA1
Infineon Technologies
TK65G10N1,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
IRF4104SPBF
Infineon Technologies
IRF2204SPBF
Infineon Technologies
IRF1010NSTRLPBF
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IRF520NSTRLPBF
Infineon Technologies
XC4005XL-2PQ100I
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XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
Intel
EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation