casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRFS3607TRL
codice articolo del costruttore | AUIRFS3607TRL |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRFS3607TRL |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRFS3607TRL Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 46A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 84nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3070pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 140W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFS3607TRL Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRFS3607TRL-FT |
IRFS4410ZTRLPBF
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EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
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A54SX32A-1CQ256
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A3P1000-PQ208
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A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
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10AX016C3U19I2LG
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