casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRL2203NSTRLPBF
codice articolo del costruttore | IRL2203NSTRLPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRL2203NSTRLPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRL2203NSTRLPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 116A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 60A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±16V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3290pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 180W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRL2203NSTRLPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRL2203NSTRLPBF-FT |
IPB144N12N3GATMA1
Infineon Technologies
AUIRF1404ZS
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LFXP6E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX64-TQG100I
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XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3P600-1FG256I
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3
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EP2AGX125DF25C5N
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