casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFS52N15DTRLP
codice articolo del costruttore | IRFS52N15DTRLP |
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Numero di parte futuro | FT-IRFS52N15DTRLP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFS52N15DTRLP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 51A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 36A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 89nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2770pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 230W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS52N15DTRLP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFS52N15DTRLP-FT |
SPB80P06PGATMA1
Infineon Technologies
AUIRFS4310Z
Infineon Technologies
IRF1407STRLPBF
Infineon Technologies
IRFS3607TRLPBF
Infineon Technologies
IRFZ44NSTRLPBF
Infineon Technologies
IPB020N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPB110N20N3LFATMA1
Infineon Technologies
IPB144N12N3GATMA1
Infineon Technologies
AUIRF1404ZS
Infineon Technologies
AUIRF2804S
Infineon Technologies