casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRFS3207Z
codice articolo del costruttore | AUIRFS3207Z |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRFS3207Z |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRFS3207Z Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.1 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6920pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRFS3207Z Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRFS3207Z-FT |
IRFS23N20DTRLP
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XC3S1600E-5FGG320C
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XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
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5SGXEA3K1F40C2L
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5SGXMA3K2F40C2LN
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5SGXEB6R3F43C2LN
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5CGXFC4C7U19C8N
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