casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFS4227TRLPBF
codice articolo del costruttore | IRFS4227TRLPBF |
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Numero di parte futuro | FT-IRFS4227TRLPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
IRFS4227TRLPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 62A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 mOhm @ 46A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 330W (Tc) |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFS4227TRLPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFS4227TRLPBF-FT |
IPB042N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPB067N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IRF5305STRLPBF
Infineon Technologies
SPB100N03S203T
Infineon Technologies
SPB80P06PGATMA1
Infineon Technologies
AUIRFS4310Z
Infineon Technologies
IRF1407STRLPBF
Infineon Technologies
IRFS3607TRLPBF
Infineon Technologies
IRFZ44NSTRLPBF
Infineon Technologies
IPB020N08N5ATMA1
Infineon Technologies
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel