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Infineon Technologies IPA80R1K0CEXKSA2

Numero parte MFG
IPA80R1K0CEXKSA2
quantità disponibile
80590 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 1.376
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fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
CoolMOS™ CE MOSFET N-CH 800V TO-220-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-IPA80R1K0CEXKSA2
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie CoolMOS™ CE
IPA80R1K0CEXKSA2 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.7A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 950 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 785pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 32W (Tc)
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-FP
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPA80R1K0CEXKSA2 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio IPA80R1K0CEXKSA2-FT

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