casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IPA60R060P7XKSA1
codice articolo del costruttore | IPA60R060P7XKSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-IPA60R060P7XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CoolMOS™ P7 |
IPA60R060P7XKSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 48A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 15.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2895pF @ 400V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 29W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220 Full Pack |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R060P7XKSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IPA60R060P7XKSA1-FT |
BSP322PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP324 E6327
Infineon Technologies
BSP324H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP324L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP372 E6327
Infineon Technologies
BSP372L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP373 E6327
Infineon Technologies
BSP373L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP373NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP603S2LHUMA1
Infineon Technologies
LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F45C3N
Intel
LFXP6E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H3F35C4N
Intel