casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRF7805Q
codice articolo del costruttore | AUIRF7805Q |
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Numero di parte futuro | FT-AUIRF7805Q |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRF7805Q Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 5V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF7805Q Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRF7805Q-FT |
BSO613SPVGHUMA1
Infineon Technologies
BSO033N03MSGXUMA1
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BSO040N03MSGXUMA1
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BSO080P03NS3EGXUMA1
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BSO080P03NS3GXUMA1
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XC6SLX45-3FG676C
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