casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / AUIRF1405ZS
codice articolo del costruttore | AUIRF1405ZS |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-AUIRF1405ZS |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | HEXFET® |
AUIRF1405ZS Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 150A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4780pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 230W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF1405ZS Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AUIRF1405ZS-FT |
IPB60R165CPATMA1
Infineon Technologies
IPB65R065C7ATMA2
Infineon Technologies
IPB70N10S312ATMA1
Infineon Technologies
IPB80N06S2H5ATMA2
Infineon Technologies
IRFZ24SPBF
Vishay Siliconix
TK14G65W,RQ
Toshiba Semiconductor and Storage
AUIRFS8405
Infineon Technologies
IRLZ34SPBF
Vishay Siliconix
IRF520SPBF
Vishay Siliconix
SIHB35N60E-GE3
Vishay Siliconix
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel