casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / IRFZ24SPBF
codice articolo del costruttore | IRFZ24SPBF |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-IRFZ24SPBF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
IRFZ24SPBF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 640pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 3.7W (Ta), 60W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D²Pak) |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFZ24SPBF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | IRFZ24SPBF-FT |
NP160N04TUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP160N055TUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP180N04TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America
NP180N04TUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP180N055TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America
NP180N055TUK-E1-AY
Renesas Electronics America
SUM70040M-GE3
Vishay Siliconix
IRLZ34NSTRLPBF
Infineon Technologies
IPB120P04P4L03ATMA1
Infineon Technologies
AUIRFS3107TRL
Infineon Technologies
ICE40UL640-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-VQ100M
Microsemi Corporation
AT40K05AL-1DQC
Microchip Technology
5SGXEA9N2F45I2N
Intel
ICE40LP640-CM36
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256E-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
EP3SL110F780I4
Intel