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Toshiba Semiconductor and Storage TK14G65W,RQ

Numero parte MFG
TK14G65W,RQ
quantità disponibile
84950 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.8352
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Data di spedizione
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fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
DTMOSIV MOSFET N-CH 650V 13.7A D2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore TK14G65W,RQ
Numero di parte futuro FT-TK14G65W,RQ
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie DTMOSIV
TK14G65W,RQ Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 13.7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 690µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 300V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 130W (Tc)
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D2PAK
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TK14G65W,RQ Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TK14G65W,RQ-FT

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