casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / AU2PGHM3_A/H
codice articolo del costruttore | AU2PGHM3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-AU2PGHM3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
AU2PGHM3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 2A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 42pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AU2PGHM3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AU2PGHM3_A/H-FT |
SS3P5L-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS3P5LHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS5P10HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS5P9-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8P2L-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P12HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P12HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
V25PN60-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8P12-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel