casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS6C8016-55ZIN
codice articolo del costruttore | AS6C8016-55ZIN |
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Numero di parte futuro | FT-AS6C8016-55ZIN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C8016-55ZIN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 8Mb (512K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 44-TSOP II |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C8016-55ZIN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS6C8016-55ZIN-FT |
AS4C64M16D3LB-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M16D3B-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D3LA-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D3L-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D3B-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D3LB-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D3LB-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3B-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3B-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C256M16D3B-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
A1020B-PQ100C
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG256I
Xilinx Inc.
LFE2-12SE-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX02-1PLG68M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-7FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC10E-4Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM2K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-30E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S60F1020I4
Intel