casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C256M16D3B-12BANTR
codice articolo del costruttore | AS4C256M16D3B-12BANTR |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C256M16D3B-12BANTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C256M16D3B-12BANTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.425V ~ 1.575V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 96-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 96-FBGA (13.5x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M16D3B-12BANTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C256M16D3B-12BANTR-FT |
AT49F040-12PC
Microchip Technology
AT49F040-12PI
Microchip Technology
AT49F040-70PC
Microchip Technology
AT49F040-70PI
Microchip Technology
AT49F040-90PC
Microchip Technology
AT49F040-90PI
Microchip Technology
AT49F040A-55PI
Microchip Technology
AT49F040A-70PI
Microchip Technology
AT49F512-70PC
Microchip Technology
AT49F512-70PI
Microchip Technology
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel