casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C256M16D3B-12BINTR
codice articolo del costruttore | AS4C256M16D3B-12BINTR |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C256M16D3B-12BINTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C256M16D3B-12BINTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Dimensione della memoria | 4Gb (256M x 16) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.425V ~ 1.575V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 96-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 96-FBGA (13.5x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C256M16D3B-12BINTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C256M16D3B-12BINTR-FT |
AT49F040-70PC
Microchip Technology
AT49F040-70PI
Microchip Technology
AT49F040-90PC
Microchip Technology
AT49F040-90PI
Microchip Technology
AT49F040A-55PI
Microchip Technology
AT49F040A-70PI
Microchip Technology
AT49F512-70PC
Microchip Technology
AT49F512-70PI
Microchip Technology
AT49F512-90PC
Microchip Technology
AT49F512-90PI
Microchip Technology
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Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
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XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel