casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C64M8D3L-12BINTR
codice articolo del costruttore | AS4C64M8D3L-12BINTR |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C64M8D3L-12BINTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C64M8D3L-12BINTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3 |
Dimensione della memoria | 512Mb (64M x 8) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (8x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M8D3L-12BINTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C64M8D3L-12BINTR-FT |
AS6C8016A-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C8008A-45BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C8008A-45BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C8016A-55BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS7C34096B-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C34096B-10BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M32MD1-5BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MD1-5BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32MSA-6BIN
Alliance Memory, Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel