casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS6C8016A-55BINTR
codice articolo del costruttore | AS6C8016A-55BINTR |
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Numero di parte futuro | FT-AS6C8016A-55BINTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C8016A-55BINTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 8Mb (512K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-FPBGA (10x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C8016A-55BINTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS6C8016A-55BINTR-FT |
AS4C8M32S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D2-25BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D2A-25BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D2-25BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D2-25BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D2-25BINTR
Alliance Memory, Inc.
LCMXO2-2000ZE-1TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V5-CSG81
Microsemi Corporation
A54SX16A-1FGG256M
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256C7G
Intel
EP4CE6F17C8
Intel
XC5VLX50-1FFG676CES
Xilinx Inc.
LFXP6C-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE230F29C3N
Intel