casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS6C8016A-55BIN
codice articolo del costruttore | AS6C8016A-55BIN |
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Numero di parte futuro | FT-AS6C8016A-55BIN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C8016A-55BIN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 8Mb (512K x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-FPBGA (10x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C8016A-55BIN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS6C8016A-55BIN-FT |
AS4C8M32S-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32S-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32S-7BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32S-7BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M16D2-25BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D2-25BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C128M16D2A-25BCN
Alliance Memory, Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel