casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C16M32MD1-5BIN
codice articolo del costruttore | AS4C16M32MD1-5BIN |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C16M32MD1-5BIN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C16M32MD1-5BIN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR |
Dimensione della memoria | 512Mb (16M x 32) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 5ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 90-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 90-FBGA (8x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C16M32MD1-5BIN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C16M32MD1-5BIN-FT |
AS4C1G8MD3L-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
MT41K1G8SN-107 IT:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-107:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125 IT:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125 IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125:A TR
Micron Technology Inc.
AS4C512M8D3LA-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BAN
Alliance Memory, Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel