casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT41K1G8SN-125 IT:A
codice articolo del costruttore | MT41K1G8SN-125 IT:A |
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Numero di parte futuro | FT-MT41K1G8SN-125 IT:A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41K1G8SN-125 IT:A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Dimensione della memoria | 8Gb (1G x 8) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 13.75ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (9x13.2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K1G8SN-125 IT:A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT41K1G8SN-125 IT:A-FT |
MT41K512M8DA-093 IT:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-093 IT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-093:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 IT:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107:P
Micron Technology Inc.
AS6C8008-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C8016-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C316098A-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C38098A-10BIN
Alliance Memory, Inc.
AS1C1M16P-70BIN
Alliance Memory, Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel