casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT41K1G8SN-107 IT:A
codice articolo del costruttore | MT41K1G8SN-107 IT:A |
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Numero di parte futuro | FT-MT41K1G8SN-107 IT:A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT41K1G8SN-107 IT:A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Dimensione della memoria | 8Gb (1G x 8) |
Frequenza di clock | 933MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (9x13.2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT41K1G8SN-107 IT:A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT41K1G8SN-107 IT:A-FT |
MT41K256M8DA-125:M
Micron Technology Inc.
MT41K256M8DA-15E:M
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-093 IT:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-093 IT:P TR
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-093:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107 IT:P
Micron Technology Inc.
MT41K512M8DA-107:P
Micron Technology Inc.
AS6C8008-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C8016-55BIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C316098A-10BIN
Alliance Memory, Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel