casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C128M8D3L-12BINTR
codice articolo del costruttore | AS4C128M8D3L-12BINTR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-AS4C128M8D3L-12BINTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C128M8D3L-12BINTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (8x10.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M8D3L-12BINTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C128M8D3L-12BINTR-FT |
AS4C16M32MD1-5BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C4M32MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M32MD1-5BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M32MD1-5BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C64M32MD1-5BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C8M32MSA-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MS-6BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MS-6BINTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C16M32MS-7BCN
Alliance Memory, Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel