casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C64M32MD1-5BCNTR
codice articolo del costruttore | AS4C64M32MD1-5BCNTR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-AS4C64M32MD1-5BCNTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS4C64M32MD1-5BCNTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR |
Dimensione della memoria | 2Gb (64M x 32) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 5ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 90-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 90-FBGA (8x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C64M32MD1-5BCNTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C64M32MD1-5BCNTR-FT |
MT41K1G8SN-125 IT:A TR
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125:A
Micron Technology Inc.
MT41K1G8SN-125:A TR
Micron Technology Inc.
AS4C512M8D3LA-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BCN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BAN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BANTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BIN
Alliance Memory, Inc.
AS4C512M8D3A-12BINTR
Alliance Memory, Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel