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Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MS-6BINTR

Numero parte MFG
AS4C16M32MS-6BINTR
quantità disponibile
61440 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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Data di spedizione
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fabbricante
Alliance Memory, Inc.
Breve descrizione
- IC DRAM 512M PARALLEL 90FBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Memoria
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore AS4C16M32MS-6BINTR
Numero di parte futuro FT-AS4C16M32MS-6BINTR
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
AS4C16M32MS-6BINTR Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Discontinued at Future Semiconductor
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - Mobile SDRAM
Dimensione della memoria 512Mb (16M x 32)
Frequenza di clock 166MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina 15ns
Tempo di accesso 5.4ns
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 1.7V ~ 1.95V
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 90-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 90-FBGA (8x13)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AS4C16M32MS-6BINTR Peso Contattaci
Numero parte di ricambio AS4C16M32MS-6BINTR-FT

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