casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS4C128M16D3L-12BANTR
codice articolo del costruttore | AS4C128M16D3L-12BANTR |
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Numero di parte futuro | FT-AS4C128M16D3L-12BANTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
AS4C128M16D3L-12BANTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR3L |
Dimensione della memoria | 2Gb (128M x 16) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
Tempo di accesso | 20ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.283V ~ 1.45V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 96-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 96-BGA (13x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS4C128M16D3L-12BANTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS4C128M16D3L-12BANTR-FT |
AS7C256A-10TCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-10TIN
Alliance Memory, Inc.
AS7C256A-12TCN
Alliance Memory, Inc.
AS7C3256A-12TCN
Alliance Memory, Inc.
AS6C62256-55STCN
Alliance Memory, Inc.
AS6C62256-55STCNTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C62256-55STIN
Alliance Memory, Inc.
AS6C62256-55STINTR
Alliance Memory, Inc.
AS6C6264-55STCN
Alliance Memory, Inc.
AS6C6264-55STCNTR
Alliance Memory, Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel