casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS6C62256-55STINTR
codice articolo del costruttore | AS6C62256-55STINTR |
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Numero di parte futuro | FT-AS6C62256-55STINTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C62256-55STINTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-sTSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C62256-55STINTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS6C62256-55STINTR-FT |
AT49F001-90PC
Microchip Technology
AT49F001-90PI
Microchip Technology
AT49F001N-12PC
Microchip Technology
AT49F001N-12PI
Microchip Technology
AT49F001N-55PC
Microchip Technology
AT49F001N-55PI
Microchip Technology
AT49F001N-70PC
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AT49F001N-70PI
Microchip Technology
AT49F001NT-12PC
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AT49F001NT-12PI
Microchip Technology
LFXP3C-3T144I
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XC3S1600E-5FG320C
Xilinx Inc.
A3PE600-2FGG484I
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ICE40UL640-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N1F45C2LN
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A1010B-2PLG44C
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LFX200B-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C5N
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5SGXEA3H3F35C2LN
Intel