casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AS6C62256-55STIN
codice articolo del costruttore | AS6C62256-55STIN |
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Numero di parte futuro | FT-AS6C62256-55STIN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AS6C62256-55STIN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM - Asynchronous |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 55ns |
Tempo di accesso | 55ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 28-sTSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS6C62256-55STIN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS6C62256-55STIN-FT |
AT49F001-70PI
Microchip Technology
AT49F001-90PC
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AT49F001-90PI
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AT49F001N-12PC
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AT49F001N-12PI
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AT49F001N-55PI
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AT49F001N-70PC
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AT49F001N-70PI
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AT49F001NT-12PC
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XC3S200A-5FG320C
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M2GL010-VFG400I
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5SGXMBBR3H43C2LN
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XC5VLX50-1FFG1153C
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XC2VP4-6FF672C
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XC5VLX30-1FFG676I
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XC7A35T-2CS324I
Xilinx Inc.
ICE40LM1K-CM36TR1K
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10AX115H2F34I2SGES
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5AGXBB3D4F35C5N
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