casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / AS3PGHM3_A/H
codice articolo del costruttore | AS3PGHM3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-AS3PGHM3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, eSMP® |
AS3PGHM3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2.1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.2µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 37pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS3PGHM3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS3PGHM3_A/H-FT |
SS5P4HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS5P6-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8P3LHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8PH10-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS8PH9-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10P10-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12P10-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PM10S-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PM12HM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS5P3-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel