casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SS8PH10-M3/87A
codice articolo del costruttore | SS8PH10-M3/87A |
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Numero di parte futuro | FT-SS8PH10-M3/87A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP® |
SS8PH10-M3/87A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 140pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SS8PH10-M3/87A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SS8PH10-M3/87A-FT |
BAT43WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT43WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel