casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V8PM10S-M3/I
codice articolo del costruttore | V8PM10S-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V8PM10S-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V8PM10S-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 780mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 860pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277A (SMPC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V8PM10S-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V8PM10S-M3/I-FT |
BAT54WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAT54WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV19WS-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
Intel
EP4CE6E22C8
Intel
5SGXMA3K2F35C2N
Intel
XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX115R3F40I2SG
Intel