casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / U1D-E3/5AT
codice articolo del costruttore | U1D-E3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-U1D-E3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
U1D-E3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 24ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
U1D-E3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | U1D-E3/5AT-FT |
S1BHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1DA-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1DA-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1G-E3/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1G/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1GA-E3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1GA-E3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGL030V2-QNG68I
Microsemi Corporation
LFXP3C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP20-7FGG676C
Xilinx Inc.
5CGXBC4C7F27C8N
Intel
EP3SL200F1517I4L
Intel
5SGXMA4H3F35I3N
Intel
A40MX02-2PLG44I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H4F34I3SG
Intel
5AGXBA1D4F31C4N
Intel